BTS3256DAUMA1 vs BTH60801EPLXUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BTS3256DAUMA1 por Infineon e BTH60801EPLXUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BTS3256DAUMA1 BTH60801EPLXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,43 $1,74
Product Type Smart Low-Side Power Switch Smart High-Side Power Switch
Technology HITFET (N-channel vertical DMOS) —
Number of Channels 1 1
Configuração de saída Low-Side, 1:1 —
Continuous Drain Current 7.5 A —
Operating Voltage Range 4.5 V to 28 V (load supply Vbb) 4 V to 54 V
On-State Resistance (RDS(on)) 50 mOhm typical 80 mΩ (typical)
Overvoltage Clamp Integrated —
Desligamento térmico Yes (with auto-restart) —
Current Limitation Yes (integrated) Adjustable
Status Feedback Yes (open-drain status pin) —
ESD Protection Yes (per datasheet) —
Operating Temperature (Junction) -40 C to +150 C —
Encapsulamento PG-TO252-5-11 (DPAK-5) PG-TSDSO-14 (exposed pad)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualified Yes (AEC-Q100) —
RoHS Compliance Compliant —
Topologia — High-Side N-Channel MOSFET with Charge Pump
Continuous Load Current — 2.5 A
Nominal Board Net — 48 V (PROFET+ 48V family)
Diagnostic Output — Current Sense (IS) pin
Input Logic — Active High and Active Low
Protection Features — Overtemperature, Overvoltage, Undervoltage, Short Circuit
Faixa de temperatura de operação — -40 °C to +150 °C (Tj)
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified
Status RoHS — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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