CY14V104LA vs CY14V104LA-BA45XIT Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von CY14V104LA von Infineon und CY14V104LA-BA45XIT von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter CY14V104LA CY14V104LA-BA45XIT
Marke Infineon Infineon
Kategorie Memory ICs EEPROM
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $10,85 $4,60
Density 4 Mbit (512 K x 8 / 256 K x 16) 4096 kbits
Speichertyp Non-Volatile SRAM (nvSRAM) nvSRAM (Non-Volatile SRAM)
Operating Voltage 3.3 V (3.0 V min, 3.6 V max) —
Access Time 25 ns (BA25) or 45 ns (BA45) 45 ns
Schnittstelle Parallel (asynchronous SRAM-compatible) Parallel
Bus Width x8 / x16 selectable (BYTE pin) —
Gehäuse 48-FBGA (6 x 10 x 1.20 mm) 48-FBGA (6 x 10 mm, 1.20 mm height)
Betriebstemperatur -40 C to +85 C (industrial) -40C to +85C
STORE Time (typical) [DATA_NEEDED: STORE time in ms] —
RECALL Time (typical) [DATA_NEEDED: RECALL time in ms] —
Active Supply Current (Icc) [DATA_NEEDED: Icc active mA] —
Standby Current (Isb) [DATA_NEEDED: Isb uA] —
Hardware STORE Pin HSB (active low) —
Auto STORE on VCC Drop Yes (integrated VCc monitor) —
Read/Write Endurance Unlimited (SRAM side) Unlimited (SRAM mode)
Data Retention [DATA_NEEDED: retention years] —
RoHS-Status Compliant RoHS Compliant
Montageart Surface Mount Surface Mount
Speichergröße — 4 Mbit
Speicherorganisation — 512K x 8
Supply Voltage Range — 3 V (min VCC 2.7 V typical class, max 3.6 V)
Max Operating Voltage — 3.6 V
Automotive Qualified — No (industrial grade)
Memory Category — NVRAM, NVSRAM, SRAM Chip
Number of Words — 128 k
Bits per Word — 8 bits
Packaging — Tape & Reel (T/R)

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern