CY14V104LA vs CY14V104LA-BA45XIT Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de CY14V104LA par Infineon et CY14V104LA-BA45XIT par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre CY14V104LA CY14V104LA-BA45XIT
Marque Infineon Infineon
Catégorie Memory ICs EEPROM
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $10,85 $4,60
Density 4 Mbit (512 K x 8 / 256 K x 16) 4096 kbits
Type de mémoire Non-Volatile SRAM (nvSRAM) nvSRAM (Non-Volatile SRAM)
Operating Voltage 3.3 V (3.0 V min, 3.6 V max) —
Access Time 25 ns (BA25) or 45 ns (BA45) 45 ns
Interface Parallel (asynchronous SRAM-compatible) Parallel
Bus Width x8 / x16 selectable (BYTE pin) —
Boîtier 48-FBGA (6 x 10 x 1.20 mm) 48-FBGA (6 x 10 mm, 1.20 mm height)
Température de fonctionnement -40 C to +85 C (industrial) -40C to +85C
STORE Time (typical) [DATA_NEEDED: STORE time in ms] —
RECALL Time (typical) [DATA_NEEDED: RECALL time in ms] —
Active Supply Current (Icc) [DATA_NEEDED: Icc active mA] —
Standby Current (Isb) [DATA_NEEDED: Isb uA] —
Hardware STORE Pin HSB (active low) —
Auto STORE on VCC Drop Yes (integrated VCc monitor) —
Read/Write Endurance Unlimited (SRAM side) Unlimited (SRAM mode)
Data Retention [DATA_NEEDED: retention years] —
Statut RoHS Compliant RoHS Compliant
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Taille de mémoire — 4 Mbit
Organisation de la mémoire — 512K x 8
Supply Voltage Range — 3 V (min VCC 2.7 V typical class, max 3.6 V)
Max Operating Voltage — 3.6 V
Automotive Qualified — No (industrial grade)
Memory Category — NVRAM, NVSRAM, SRAM Chip
Number of Words — 128 k
Bits per Word — 8 bits
Packaging — Tape & Reel (T/R)

Fiches techniques et ressources

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