CY14V104LA vs CY14V104LA-BA45XIT 비교

다음의 상세 나란히 비교: CY14V104LA 제조: Infineon 및 CY14V104LA-BA45XIT 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 CY14V104LA CY14V104LA-BA45XIT
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Memory ICs EEPROM
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $10.85 $4.60
Density 4 Mbit (512 K x 8 / 256 K x 16) 4096 kbits
메모리 유형 Non-Volatile SRAM (nvSRAM) nvSRAM (Non-Volatile SRAM)
Operating Voltage 3.3 V (3.0 V min, 3.6 V max) —
Access Time 25 ns (BA25) or 45 ns (BA45) 45 ns
인터페이스 Parallel (asynchronous SRAM-compatible) Parallel
Bus Width x8 / x16 selectable (BYTE pin) —
패키지 48-FBGA (6 x 10 x 1.20 mm) 48-FBGA (6 x 10 mm, 1.20 mm height)
동작 온도 -40 C to +85 C (industrial) -40C to +85C
STORE Time (typical) [DATA_NEEDED: STORE time in ms] —
RECALL Time (typical) [DATA_NEEDED: RECALL time in ms] —
Active Supply Current (Icc) [DATA_NEEDED: Icc active mA] —
Standby Current (Isb) [DATA_NEEDED: Isb uA] —
Hardware STORE Pin HSB (active low) —
Auto STORE on VCC Drop Yes (integrated VCc monitor) —
Read/Write Endurance Unlimited (SRAM side) Unlimited (SRAM mode)
Data Retention [DATA_NEEDED: retention years] —
RoHS 상태 Compliant RoHS Compliant
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
메모리 크기 — 4 Mbit
메모리 구성 — 512K x 8
Supply Voltage Range — 3 V (min VCC 2.7 V typical class, max 3.6 V)
Max Operating Voltage — 3.6 V
Automotive Qualified — No (industrial grade)
Memory Category — NVRAM, NVSRAM, SRAM Chip
Number of Words — 128 k
Bits per Word — 8 bits
Packaging — Tape & Reel (T/R)

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