CY62168EV30LL-45BVXI vs CY62167EV30LL-45BVXI Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von CY62168EV30LL-45BVXI von Infineon und CY62167EV30LL-45BVXI von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
CY62168EV30LL-45BVXI CY62168EV30LL-45BVXI - 16Mb SRAM 45ns 3V | Infineon

CY62168EV30LL-45BVXI - 16Mb SRAM 45ns 3V | Infineon

CY62168EV30LL-45BVXI ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter CY62168EV30LL-45BVXI CY62167EV30LL-45BVXI
Marke Infineon Infineon
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $3,75 $3,78
Speichertyp Volatile SRAM (asynchronous) Asynchronous SRAM (MoBL®)
Memory Family MoBL (Micropower) SRAM —
Speichergröße 16 Mbit (2 M × 8) —
Speicherorganisation 2M × 8 1M × 16 / 2M × 8 (BYTE-pin configurable)
Access Time 45 ns 45 ns
Operating Voltage Range 2.20 V to 3.60 V —
Maximum Operating Voltage 3.60 V —
Minimum Operating Voltage 2.20 V —
Standby Current (typical) 1.5 µA —
Standby Current (maximum) 12 µA —
Active Current (typical @ 1 MHz) 2.2 mA —
Schnittstellentyp Parallel (asynchronous) —
Chip Enable CE1# (active low), CE2 (active high) —
Write Enable WE# (active low) —
Output Enable OE# (active low) —
Gehäuse 48-ball VFBGA (6 x 8) 48-ball VFBGA (6 × 8 × 1 mm)
Montageart Surface Mount (BGA) Surface Mount
Betriebstemperatur -40 °C to +85 °C (Industrial) -40 °C to +85 °C (Industrial)
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS-Status Compliant Compliant (Pb-free)
Density — 16 Mbit (16,777,216 bits)
Supply Voltage (VCC) — 2.2 V to 3.6 V
Active Current (1 MHz typical) — 2 mA
Schnittstelle — Parallel, asynchronous
Package Code — BV48
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current µA]
Byte Pin — Yes (BYTE# for ×8 / ×16 selection)

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern