CY62168EV30LL-45BVXI vs CY62167EV30LL-45BVXI 비교
다음의 상세 나란히 비교: CY62168EV30LL-45BVXI 제조: Infineon 및 CY62167EV30LL-45BVXI 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Infineon
CY62167EV30LL-45BVXI - 16Mb SRAM 45ns 1M×16/2M×8 VFBGA-48 | Infineon
CY62167EV30LL-45BVXI ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | CY62168EV30LL-45BVXI | CY62167EV30LL-45BVXI |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $3.75 | $3.78 |
| 메모리 유형 | Volatile SRAM (asynchronous) | Asynchronous SRAM (MoBL®) |
| Memory Family | MoBL (Micropower) SRAM | — |
| 메모리 크기 | 16 Mbit (2 M × 8) | — |
| 메모리 구성 | 2M × 8 | 1M × 16 / 2M × 8 (BYTE-pin configurable) |
| Access Time | 45 ns | 45 ns |
| Operating Voltage Range | 2.20 V to 3.60 V | — |
| Maximum Operating Voltage | 3.60 V | — |
| Minimum Operating Voltage | 2.20 V | — |
| Standby Current (typical) | 1.5 µA | — |
| Standby Current (maximum) | 12 µA | — |
| Active Current (typical @ 1 MHz) | 2.2 mA | — |
| 인터페이스 유형 | Parallel (asynchronous) | — |
| Chip Enable | CE1# (active low), CE2 (active high) | — |
| Write Enable | WE# (active low) | — |
| Output Enable | OE# (active low) | — |
| 패키지 | 48-ball VFBGA (6 x 8) | 48-ball VFBGA (6 × 8 × 1 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| 동작 온도 | -40 °C to +85 °C (Industrial) | -40 °C to +85 °C (Industrial) |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL level] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant (Pb-free) |
| Density | — | 16 Mbit (16,777,216 bits) |
| Supply Voltage (VCC) | — | 2.2 V to 3.6 V |
| Active Current (1 MHz typical) | — | 2 mA |
| 인터페이스 | — | Parallel, asynchronous |
| Package Code | — | BV48 |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current µA] |
| Byte Pin | — | Yes (BYTE# for ×8 / ×16 selection) |