CY62168EV30LL-45BVXI vs CY62167EV30LL-45BVXI Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de CY62168EV30LL-45BVXI par Infineon et CY62167EV30LL-45BVXI par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
CY62168EV30LL-45BVXI CY62168EV30LL-45BVXI - 16Mb SRAM 45ns 3V | Infineon

CY62168EV30LL-45BVXI - 16Mb SRAM 45ns 3V | Infineon

CY62168EV30LL-45BVXI ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre CY62168EV30LL-45BVXI CY62167EV30LL-45BVXI
Marque Infineon Infineon
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,75 $3,78
Type de mémoire Volatile SRAM (asynchronous) Asynchronous SRAM (MoBL®)
Memory Family MoBL (Micropower) SRAM —
Taille de mémoire 16 Mbit (2 M × 8) —
Organisation de la mémoire 2M × 8 1M × 16 / 2M × 8 (BYTE-pin configurable)
Access Time 45 ns 45 ns
Operating Voltage Range 2.20 V to 3.60 V —
Maximum Operating Voltage 3.60 V —
Minimum Operating Voltage 2.20 V —
Standby Current (typical) 1.5 µA —
Standby Current (maximum) 12 µA —
Active Current (typical @ 1 MHz) 2.2 mA —
Type d'interface Parallel (asynchronous) —
Chip Enable CE1# (active low), CE2 (active high) —
Write Enable WE# (active low) —
Output Enable OE# (active low) —
Boîtier 48-ball VFBGA (6 x 8) 48-ball VFBGA (6 × 8 × 1 mm)
Type de montage Surface Mount (BGA) Surface Mount
Température de fonctionnement -40 °C to +85 °C (Industrial) -40 °C to +85 °C (Industrial)
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Statut RoHS Compliant Compliant (Pb-free)
Density — 16 Mbit (16,777,216 bits)
Supply Voltage (VCC) — 2.2 V to 3.6 V
Active Current (1 MHz typical) — 2 mA
Interface — Parallel, asynchronous
Package Code — BV48
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current µA]
Byte Pin — Yes (BYTE# for ×8 / ×16 selection)

Fiches techniques et ressources

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