EDB1332BDBH-1DAUT-F-R vs EDB1332BDBH-1DAUT-F-D Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von EDB1332BDBH-1DAUT-F-R von Micron Technology und EDB1332BDBH-1DAUT-F-D von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
EDB1332BDBH-1DAUT-F-R EDB1332BDBH-1DAUT-F-R - 1Gbit LPDDR2 SDRAM 533MHz | Micron

EDB1332BDBH-1DAUT-F-R - 1Gbit LPDDR2 SDRAM 533MHz | Micron

EDB1332BDBH-1DAUT-F-R ✓ Aktiv
Micron Technology
EDB1332BDBH-1DAUT-F-D EDB1332BDBH-1DAUT-F-D - 1Gbit LPDDR2 533MHz | Micron

EDB1332BDBH-1DAUT-F-D - 1Gbit LPDDR2 533MHz | Micron

EDB1332BDBH-1DAUT-F-D ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter EDB1332BDBH-1DAUT-F-R EDB1332BDBH-1DAUT-F-D
Marke Micron Technology Micron Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $3,40 $2,16
Speichertyp SDRAM Mobile - LPDDR2 SDRAM - Mobile LPDDR2
Speichergröße 1 Gbit 1 Gbit
Speicherorganisation 32M x 32 32M x 32
Datenbusbreite 32 bit —
Clock Frequency 533 MHz 533 MHz
Schnittstelle Parallel Parallel
Supply Voltage - Min 1.14 V —
Supply Voltage - Typ 1.2 V —
Operating Temperature - Min -40 C —
Operating Temperature - Max +125 C —
Gehäuse 134-VFBGA (10 mm x 11.5 mm) 134-VFBGA (10 x 11.5 mm)
JEDEC Package Code R-PBGA-B134 —
Montagestil SMD/SMT —
Factory Pack Quantity 1000 —
Packaging Tape & Reel (-R suffix) —
Technology CMOS —
RoHS-Status Compliant —
Core Supply Voltage — 1.2 V
Supply Voltage Range — 1.14 V to 1.95 V
Access Mode — Single Bank Page Burst
Number of Terminals — 134
Montageart — Surface Mount
Temperature Grade — Automotive
Package Shape — Rectangular
Packaging Suffix — -D (Dry Pack)
Moisture Sensitivity — Dry Pack (per -D suffix)
Betriebstemperatur — [DATA_NEEDED: Operating Temperature]

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