EDB1332BDBH-1DAUT-F-R vs EDB1332BDBH-1DAUT-F-D Сравнение

Подробное сравнение бок о бок EDB1332BDBH-1DAUT-F-R от Micron Technology и EDB1332BDBH-1DAUT-F-D от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
EDB1332BDBH-1DAUT-F-R EDB1332BDBH-1DAUT-F-R - 1Gbit LPDDR2 SDRAM 533MHz | Micron

EDB1332BDBH-1DAUT-F-R - 1Gbit LPDDR2 SDRAM 533MHz | Micron

EDB1332BDBH-1DAUT-F-R ✓ Активен
Micron Technology
EDB1332BDBH-1DAUT-F-D EDB1332BDBH-1DAUT-F-D - 1Gbit LPDDR2 533MHz | Micron

EDB1332BDBH-1DAUT-F-D - 1Gbit LPDDR2 533MHz | Micron

EDB1332BDBH-1DAUT-F-D ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр EDB1332BDBH-1DAUT-F-R EDB1332BDBH-1DAUT-F-D
Бренд Micron Technology Micron Technology
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $3,40 $2,16
Тип памяти SDRAM Mobile - LPDDR2 SDRAM - Mobile LPDDR2
Размер памяти 1 Gbit 1 Gbit
Организация памяти 32M x 32 32M x 32
Разрядность шины данных 32 bit —
Clock Frequency 533 MHz 533 MHz
Интерфейс Parallel Parallel
Supply Voltage - Min 1.14 V —
Supply Voltage - Typ 1.2 V —
Operating Temperature - Min -40 C —
Operating Temperature - Max +125 C —
Корпус 134-VFBGA (10 mm x 11.5 mm) 134-VFBGA (10 x 11.5 mm)
JEDEC Package Code R-PBGA-B134 —
Способ монтажа SMD/SMT —
Factory Pack Quantity 1000 —
Packaging Tape & Reel (-R suffix) —
Technology CMOS —
Статус RoHS Compliant —
Core Supply Voltage — 1.2 V
Supply Voltage Range — 1.14 V to 1.95 V
Access Mode — Single Bank Page Burst
Number of Terminals — 134
Тип монтажа — Surface Mount
Temperature Grade — Automotive
Package Shape — Rectangular
Packaging Suffix — -D (Dry Pack)
Moisture Sensitivity — Dry Pack (per -D suffix)
Рабочая температура — [DATA_NEEDED: Operating Temperature]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену