EDB1332BDBH-1DAUT-F-R vs EDB1332BDBH-1DAUT-F-D 비교

다음의 상세 나란히 비교: EDB1332BDBH-1DAUT-F-R 제조: Micron Technology 및 EDB1332BDBH-1DAUT-F-D 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
EDB1332BDBH-1DAUT-F-R EDB1332BDBH-1DAUT-F-R - 1Gbit LPDDR2 SDRAM 533MHz | Micron

EDB1332BDBH-1DAUT-F-R - 1Gbit LPDDR2 SDRAM 533MHz | Micron

EDB1332BDBH-1DAUT-F-R ✓ 활성
Micron Technology
EDB1332BDBH-1DAUT-F-D EDB1332BDBH-1DAUT-F-D - 1Gbit LPDDR2 533MHz | Micron

EDB1332BDBH-1DAUT-F-D - 1Gbit LPDDR2 533MHz | Micron

EDB1332BDBH-1DAUT-F-D ✓ 활성

사양 비교

파라미터 EDB1332BDBH-1DAUT-F-R EDB1332BDBH-1DAUT-F-D
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $3.40 $2.16
메모리 유형 SDRAM Mobile - LPDDR2 SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기 1 Gbit 1 Gbit
메모리 구성 32M x 32 32M x 32
데이터 버스 폭 32 bit —
Clock Frequency 533 MHz 533 MHz
인터페이스 Parallel Parallel
Supply Voltage - Min 1.14 V —
Supply Voltage - Typ 1.2 V —
Operating Temperature - Min -40 C —
Operating Temperature - Max +125 C —
패키지 134-VFBGA (10 mm x 11.5 mm) 134-VFBGA (10 x 11.5 mm)
JEDEC Package Code R-PBGA-B134 —
장착 스타일 SMD/SMT —
Factory Pack Quantity 1000 —
Packaging Tape & Reel (-R suffix) —
Technology CMOS —
RoHS 상태 Compliant —
Core Supply Voltage — 1.2 V
Supply Voltage Range — 1.14 V to 1.95 V
Access Mode — Single Bank Page Burst
Number of Terminals — 134
실장 유형 — Surface Mount
Temperature Grade — Automotive
Package Shape — Rectangular
Packaging Suffix — -D (Dry Pack)
Moisture Sensitivity — Dry Pack (per -D suffix)
동작 온도 — [DATA_NEEDED: Operating Temperature]

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청