EP1SGX25DF800C6N vs EP1SGX40GF800C7N Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von EP1SGX25DF800C6N von Intel und EP1SGX40GF800C7N von Intel. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter EP1SGX25DF800C6N EP1SGX40GF800C7N
Marke Intel Intel
Kategorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Lebenszyklusstatus Obsolete Obsolete
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $118,00 $110,00
Family Stratix GX Stratix GX
Logic Elements 25,560 LEs 41,250
Maximum Transceiver Channels 20 channels —
Maximum Transceiver Data Rate 3.1875 Gbps —
Gehäuse FBGA-780 (FineLine BGA, 800-ball per JEDEC ordering code) 800-ball FineLine BGA (FBGA-800)
Process Node [DATA_NEEDED: process node] —
Core Voltage 1.5 V 1.5 V
Betriebstemperatur Commercial (0 C to +85 C) —
Speed Grade 6 7 (commercial, fastest)
Configuration Method Passive Serial / Passive Parallel / Active Serial / JTAG —
Transceiver Encoding 8B/10B —
Clock Data Recovery (CDR) Yes, integrated per channel —
Speichertyp TriMatrix embedded SRAM —
DSP Blocks Yes, embedded multiplier blocks 624
Montageart Surface Mount (BGA) Surface Mount (BGA)
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Lead Free [DATA_NEEDED: lead free status] —
Embedded Memory Bits — 3,423,744 bits
Multi-Gigabit Transceivers — 20 channels, up to 3.1875 Gbps
PLLs — 4
Maximum User I/O Pins — [DATA_NEEDED: max user I/O count]
Process Technology — 130 nm CMOS
I/O Voltage — 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V (LVTTL/LVCMOS/LVDS)
Betriebs-Sperrschichttemperatur — 0C to +85C
Configuration Mode — Passive Serial / Fast Passive Parallel / Passive Parallel Asynchronous / JTAG
Memory Interfaces Supported — DDR, DDR2, QDR, RLDRAM

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