EP4CE10E22C8N vs EP4CE10E22C8 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von EP4CE10E22C8N von Intel und EP4CE10E22C8 von Intel. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter EP4CE10E22C8N EP4CE10E22C8
Marke Intel Intel
Kategorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $11,10 $9,75
Series Cyclone IV E —
Family EP4CE10 Cyclone IV E
Logic Elements (LE) 10,320 —
Embedded Memory (M9K blocks) 46 —
Embedded Memory (total) 414 Kbit —
Maximum User I/O 91 91
Anzahl der Pins 144 —
Gehäuse 144-LQFP Exposed Pad (E22) 144-pin EQFP (E22), exposed pad, 22x22 mm
Speed Grade 8 C8 (commercial)
Temperature Grade Commercial (C) —
Process Technology 60 nm low-power —
PLL Count 2 —
Configuration Mode JTAG / AS / AP / PS Active Serial (AS), Passive Serial (PS), JTAG
Betriebstemperatur 0C to +85C 0 C to +85 C (commercial)
Supply Voltage (Core) 1.0 V to 1.2 V —
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Non-RoHS (leaded) - select EP4CE10E22C8N for RoHS compliance
Lead-Free Yes —
Device Family — EP4CE10
Logic Elements (LEs) — 10,320
Logic Array Blocks (LABs) — [DATA_NEEDED: LAB count]
Embedded Memory — 414 Kbits (M9K blocks)
Embedded 18x18 Multipliers — 23
PLLs — 2
Global Clock Networks — [DATA_NEEDED: global clock count]
User I/O Banks — [DATA_NEEDED: bank count]
Core Voltage — 1.2 V
I/O Voltage Support — 1.2 V, 1.5 V, 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V
Process Node — 60 nm
MSL-Level — 3 (168 hours)

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