EP4CE10E22C8N vs EP4CE10E22C8 Comparación

Comparación detallada lado a lado de EP4CE10E22C8N por Intel y EP4CE10E22C8 por Intel. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro EP4CE10E22C8N EP4CE10E22C8
Marca Intel Intel
Categoría FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $11,10 $9,75
Series Cyclone IV E —
Family EP4CE10 Cyclone IV E
Logic Elements (LE) 10,320 —
Embedded Memory (M9K blocks) 46 —
Embedded Memory (total) 414 Kbit —
Maximum User I/O 91 91
Número de pines 144 —
Encapsulado 144-LQFP Exposed Pad (E22) 144-pin EQFP (E22), exposed pad, 22x22 mm
Speed Grade 8 C8 (commercial)
Temperature Grade Commercial (C) —
Process Technology 60 nm low-power —
PLL Count 2 —
Configuration Mode JTAG / AS / AP / PS Active Serial (AS), Passive Serial (PS), JTAG
Temperatura de funcionamiento 0C to +85C 0 C to +85 C (commercial)
Supply Voltage (Core) 1.0 V to 1.2 V —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant Non-RoHS (leaded) - select EP4CE10E22C8N for RoHS compliance
Lead-Free Yes —
Device Family — EP4CE10
Logic Elements (LEs) — 10,320
Logic Array Blocks (LABs) — [DATA_NEEDED: LAB count]
Embedded Memory — 414 Kbits (M9K blocks)
Embedded 18x18 Multipliers — 23
PLLs — 2
Global Clock Networks — [DATA_NEEDED: global clock count]
User I/O Banks — [DATA_NEEDED: bank count]
Core Voltage — 1.2 V
I/O Voltage Support — 1.2 V, 1.5 V, 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V
Process Node — 60 nm
Nivel MSL — 3 (168 hours)

Hojas de datos y recursos

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