EP4CE10E22C8N vs EP4CE10E22C8 비교

다음의 상세 나란히 비교: EP4CE10E22C8N 제조: Intel 및 EP4CE10E22C8 제조: Intel. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 EP4CE10E22C8N EP4CE10E22C8
브랜드 Intel Intel
카테고리 FPGA & CPLD FPGA & CPLD
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $11.10 $9.75
Series Cyclone IV E —
Family EP4CE10 Cyclone IV E
Logic Elements (LE) 10,320 —
Embedded Memory (M9K blocks) 46 —
Embedded Memory (total) 414 Kbit —
Maximum User I/O 91 91
핀 수 144 —
패키지 144-LQFP Exposed Pad (E22) 144-pin EQFP (E22), exposed pad, 22x22 mm
Speed Grade 8 C8 (commercial)
Temperature Grade Commercial (C) —
Process Technology 60 nm low-power —
PLL Count 2 —
Configuration Mode JTAG / AS / AP / PS Active Serial (AS), Passive Serial (PS), JTAG
동작 온도 0C to +85C 0 C to +85 C (commercial)
Supply Voltage (Core) 1.0 V to 1.2 V —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS 상태 Compliant Non-RoHS (leaded) - select EP4CE10E22C8N for RoHS compliance
Lead-Free Yes —
Device Family — EP4CE10
Logic Elements (LEs) — 10,320
Logic Array Blocks (LABs) — [DATA_NEEDED: LAB count]
Embedded Memory — 414 Kbits (M9K blocks)
Embedded 18x18 Multipliers — 23
PLLs — 2
Global Clock Networks — [DATA_NEEDED: global clock count]
User I/O Banks — [DATA_NEEDED: bank count]
Core Voltage — 1.2 V
I/O Voltage Support — 1.2 V, 1.5 V, 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V
Process Node — 60 nm
MSL 레벨 — 3 (168 hours)

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