EP4CE10E22C8N vs EP4CE10E22C8 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de EP4CE10E22C8N par Intel et EP4CE10E22C8 par Intel. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre EP4CE10E22C8N EP4CE10E22C8
Marque Intel Intel
Catégorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $11,10 $9,75
Series Cyclone IV E —
Family EP4CE10 Cyclone IV E
Logic Elements (LE) 10,320 —
Embedded Memory (M9K blocks) 46 —
Embedded Memory (total) 414 Kbit —
Maximum User I/O 91 91
Nombre de broches 144 —
Boîtier 144-LQFP Exposed Pad (E22) 144-pin EQFP (E22), exposed pad, 22x22 mm
Speed Grade 8 C8 (commercial)
Temperature Grade Commercial (C) —
Process Technology 60 nm low-power —
PLL Count 2 —
Configuration Mode JTAG / AS / AP / PS Active Serial (AS), Passive Serial (PS), JTAG
Température de fonctionnement 0C to +85C 0 C to +85 C (commercial)
Supply Voltage (Core) 1.0 V to 1.2 V —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Non-RoHS (leaded) - select EP4CE10E22C8N for RoHS compliance
Lead-Free Yes —
Device Family — EP4CE10
Logic Elements (LEs) — 10,320
Logic Array Blocks (LABs) — [DATA_NEEDED: LAB count]
Embedded Memory — 414 Kbits (M9K blocks)
Embedded 18x18 Multipliers — 23
PLLs — 2
Global Clock Networks — [DATA_NEEDED: global clock count]
User I/O Banks — [DATA_NEEDED: bank count]
Core Voltage — 1.2 V
I/O Voltage Support — 1.2 V, 1.5 V, 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V
Process Node — 60 nm
Niveau MSL — 3 (168 hours)

Fiches techniques et ressources

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