H5AN4G6NBJR-PBC vs H5AN4G6NBJR-VKC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN4G6NBJR-PBC von SK hynix und H5AN4G6NBJR-VKC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN4G6NBJR-PBC H5AN4G6NBJR-VKC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $6,60 $12,96
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 4 Gbit —
Speicherorganisation 256M x 16 (268435456 words x 16 bits) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V nominal (1.14 V to 1.26 V)
Schnittstelle DDR4 (double data rate, synchronous) Parallel
Package Code TFBGA —
Gehäuse FBGA-96 (PBGA96), rectangular FBGA-96 / TFBGA (PBGA96)
Number of Terminals 96 —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Eigenschaften Auto self-refresh, data mask, asynchronous reset, dynamic ODT, ZQ calibration, write leveling, CRC —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: temperature range for -C grade] -40C to +95C
Data Rate / Speed Grade [DATA_NEEDED: speed grade PBC data rate] —
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade] —
Process CMOS —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (per family datasheet, Lead-Free & Halogen-Free) —
Temperature Grade OTHER (per distributor listing) —
Speichergröße — 4 Gbit
Memory Organization — 256M x 16
Datenrate — 2666 Mbps
Clock Frequency — 1.6 GHz (internal reference per distributor data)
Operating Current — 38 mA (typical, per distributor data)
Technology — CMOS
Body Size — 13 mm, 1.2 mm profile, 0.8 mm ball pitch
Termination — Dynamic on-chip termination (ODT)
Calibration — ZQ calibration; write leveling
Protection Functions — Asynchronous reset; CRC; data mask
Refresh — Auto self-refresh
RoHS-Status — Compliant
Packaging — Tray

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern