H5AN4G6NBJR-PBC vs H5AN4G6NBJR-VKC 比較

詳細な並列比較: H5AN4G6NBJR-PBC メーカー: SK hynix および H5AN4G6NBJR-VKC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5AN4G6NBJR-PBC H5AN4G6NBJR-PBC - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 FBGA-96 | SK hynix

H5AN4G6NBJR-PBC - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 FBGA-96 | SK hynix

H5AN4G6NBJR-PBC ✓ 生産中
SK hynix
H5AN4G6NBJR-VKC H5AN4G6NBJR-VKC - 4Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps x16 | SK Hynix

H5AN4G6NBJR-VKC - 4Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps x16 | SK Hynix

H5AN4G6NBJR-VKC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN4G6NBJR-PBC H5AN4G6NBJR-VKC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $6.60 $12.96
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 4 Gbit —
メモリ構成 256M x 16 (268435456 words x 16 bits) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V nominal (1.14 V to 1.26 V)
インターフェース DDR4 (double data rate, synchronous) Parallel
Package Code TFBGA —
パッケージ FBGA-96 (PBGA96), rectangular FBGA-96 / TFBGA (PBGA96)
Number of Terminals 96 —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
特長 Auto self-refresh, data mask, asynchronous reset, dynamic ODT, ZQ calibration, write leveling, CRC —
動作温度 [DATA_NEEDED: temperature range for -C grade] -40C to +95C
Data Rate / Speed Grade [DATA_NEEDED: speed grade PBC data rate] —
CASレイテンシ [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade] —
Process CMOS —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (per family datasheet, Lead-Free & Halogen-Free) —
Temperature Grade OTHER (per distributor listing) —
メモリサイズ — 4 Gbit
Memory Organization — 256M x 16
データレート — 2666 Mbps
Clock Frequency — 1.6 GHz (internal reference per distributor data)
Operating Current — 38 mA (typical, per distributor data)
Technology — CMOS
Body Size — 13 mm, 1.2 mm profile, 0.8 mm ball pitch
Termination — Dynamic on-chip termination (ODT)
Calibration — ZQ calibration; write leveling
Protection Functions — Asynchronous reset; CRC; data mask
Refresh — Auto self-refresh
RoHS ステータス — Compliant
Packaging — Tray

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