H5AN4G6NBJR-PBC vs H5AN4G6NBJR-VKC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5AN4G6NBJR-PBC par SK hynix et H5AN4G6NBJR-VKC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre H5AN4G6NBJR-PBC H5AN4G6NBJR-VKC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $6,60 $12,96
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 4 Gbit —
Organisation de la mémoire 256M x 16 (268435456 words x 16 bits) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V nominal (1.14 V to 1.26 V)
Interface DDR4 (double data rate, synchronous) Parallel
Package Code TFBGA —
Boîtier FBGA-96 (PBGA96), rectangular FBGA-96 / TFBGA (PBGA96)
Number of Terminals 96 —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Caractéristiques Auto self-refresh, data mask, asynchronous reset, dynamic ODT, ZQ calibration, write leveling, CRC —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: temperature range for -C grade] -40C to +95C
Data Rate / Speed Grade [DATA_NEEDED: speed grade PBC data rate] —
Latence CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade] —
Process CMOS —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (per family datasheet, Lead-Free & Halogen-Free) —
Temperature Grade OTHER (per distributor listing) —
Taille de mémoire — 4 Gbit
Memory Organization — 256M x 16
Débit de données — 2666 Mbps
Clock Frequency — 1.6 GHz (internal reference per distributor data)
Operating Current — 38 mA (typical, per distributor data)
Technology — CMOS
Body Size — 13 mm, 1.2 mm profile, 0.8 mm ball pitch
Termination — Dynamic on-chip termination (ODT)
Calibration — ZQ calibration; write leveling
Protection Functions — Asynchronous reset; CRC; data mask
Refresh — Auto self-refresh
Statut RoHS — Compliant
Packaging — Tray

Fiches techniques et ressources

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