H5AN4G6NBJR-PBC vs H5AN4G6NBJR-VKC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5AN4G6NBJR-PBC por SK hynix e H5AN4G6NBJR-VKC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro H5AN4G6NBJR-PBC H5AN4G6NBJR-VKC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $6,60 $12,96
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 4 Gbit —
Organização da memória 256M x 16 (268435456 words x 16 bits) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V nominal (1.14 V to 1.26 V)
Interface DDR4 (double data rate, synchronous) Parallel
Package Code TFBGA —
Encapsulamento FBGA-96 (PBGA96), rectangular FBGA-96 / TFBGA (PBGA96)
Number of Terminals 96 —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Recursos Auto self-refresh, data mask, asynchronous reset, dynamic ODT, ZQ calibration, write leveling, CRC —
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: temperature range for -C grade] -40C to +95C
Data Rate / Speed Grade [DATA_NEEDED: speed grade PBC data rate] —
Latência CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade] —
Process CMOS —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (per family datasheet, Lead-Free & Halogen-Free) —
Temperature Grade OTHER (per distributor listing) —
Tamanho da memória — 4 Gbit
Memory Organization — 256M x 16
Taxa de dados — 2666 Mbps
Clock Frequency — 1.6 GHz (internal reference per distributor data)
Operating Current — 38 mA (typical, per distributor data)
Technology — CMOS
Body Size — 13 mm, 1.2 mm profile, 0.8 mm ball pitch
Termination — Dynamic on-chip termination (ODT)
Calibration — ZQ calibration; write leveling
Protection Functions — Asynchronous reset; CRC; data mask
Refresh — Auto self-refresh
Status RoHS — Compliant
Packaging — Tray

Fichas técnicas e recursos

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