H5AN4G6NBJR-UHC vs H5AN4G8NBJR-UHC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN4G6NBJR-UHC von SK hynix und H5AN4G8NBJR-UHC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN4G6NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-UHC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $8,09 $3,18
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Speichergröße 4 Gbit —
Speicherorganisation 256M x 16 512M x 8
Clock Frequency 1.6 GHz —
Supply Voltage (VDD) 1.14 V to 1.26 V —
Technology CMOS CMOS DRAM
Betriebstemperatur -40C to +95C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gehäuse FBGA-96 (PBGA-96) TFBGA-78 (11 x 7.5 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Self Refresh Auto self-refresh —
Data Mask Function Yes (DM) —
Asynchronous Reset Yes (RESET_n) —
On-Die Termination Dynamic ODT —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes (command/address CRC) —
RoHS-Status Compliant Compliant (Rohs Code: Yes)
Density — 4 Gbit
Datenrate — 2400 Mbps (PC2400)
Versorgungsspannung — 1.2 V
Schnittstelle — DDR4 (JEDEC)
Lifecycle Code — Active
REACH Compliance — Compliant
Manufacturer — SK Hynix Inc.
CAS-Latenz — [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin]
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support]

Datenblätter & Ressourcen

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