H5AN4G6NBJR-UHC vs H5AN4G8NBJR-UHC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN4G6NBJR-UHC par SK hynix et H5AN4G8NBJR-UHC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN4G6NBJR-UHC | H5AN4G8NBJR-UHC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $8,09 | $3,18 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 4 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 512M x 8 |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V | — |
| Technology | CMOS | CMOS DRAM |
| Température de fonctionnement | -40C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Boîtier | FBGA-96 (PBGA-96) | TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Self Refresh | Auto self-refresh | — |
| Data Mask Function | Yes (DM) | — |
| Asynchronous Reset | Yes (RESET_n) | — |
| On-Die Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes (command/address CRC) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant (Rohs Code: Yes) |
| Density | — | 4 Gbit |
| Débit de données | — | 2400 Mbps (PC2400) |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V |
| Interface | — | DDR4 (JEDEC) |
| Lifecycle Code | — | Active |
| REACH Compliance | — | Compliant |
| Manufacturer | — | SK Hynix Inc. |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] |