H5AN4G6NBJR-UHC vs H5AN4G8NBJR-UHC Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN4G6NBJR-UHC por SK hynix y H5AN4G8NBJR-UHC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN4G6NBJR-UHC | H5AN4G8NBJR-UHC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $8,09 | $3,18 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 4 Gbit | — |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 512M x 8 |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V | — |
| Technology | CMOS | CMOS DRAM |
| Temperatura de funcionamiento | -40C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Encapsulado | FBGA-96 (PBGA-96) | TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Self Refresh | Auto self-refresh | — |
| Data Mask Function | Yes (DM) | — |
| Asynchronous Reset | Yes (RESET_n) | — |
| On-Die Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes (command/address CRC) | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant (Rohs Code: Yes) |
| Density | — | 4 Gbit |
| Velocidad de datos | — | 2400 Mbps (PC2400) |
| Tensión de alimentación | — | 1.2 V |
| Interfaz | — | DDR4 (JEDEC) |
| Lifecycle Code | — | Active |
| REACH Compliance | — | Compliant |
| Manufacturer | — | SK Hynix Inc. |
| Latencia CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] |