H5AN4G8NBJR-UHC vs H5AN4G6NBJR-UHC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN4G8NBJR-UHC von SK hynix und H5AN4G6NBJR-UHC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G6NBJR-UHC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $3,18 $8,09
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit —
Speicherorganisation 512M x 8 256M x 16
Datenrate 2400 Mbps (PC2400) —
Versorgungsspannung 1.2 V —
Schnittstelle DDR4 (JEDEC) —
Gehäuse TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) FBGA-96 (PBGA-96)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS DRAM CMOS
Lifecycle Code Active —
RoHS-Status Compliant (Rohs Code: Yes) Compliant
REACH Compliance Compliant —
Manufacturer SK Hynix Inc. —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +95C
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] —
Speichergröße — 4 Gbit
Clock Frequency — 1.6 GHz
Supply Voltage (VDD) — 1.14 V to 1.26 V
Self Refresh — Auto self-refresh
Data Mask Function — Yes (DM)
Asynchronous Reset — Yes (RESET_n)
On-Die Termination — Dynamic ODT
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes (command/address CRC)

Datenblätter & Ressourcen

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