H5AN4G8NBJR-UHC vs H5AN4G6NBJR-UHC Сравнение

Подробное сравнение бок о бок H5AN4G8NBJR-UHC от SK hynix и H5AN4G6NBJR-UHC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC ✓ Активен
SK hynix
H5AN4G6NBJR-UHC H5AN4G6NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 FBGA-96 | SK Hynix

H5AN4G6NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 FBGA-96 | SK Hynix

H5AN4G6NBJR-UHC ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G6NBJR-UHC
Бренд SK hynix SK hynix
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $3,18 $8,09
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit —
Организация памяти 512M x 8 256M x 16
Скорость передачи данных 2400 Mbps (PC2400) —
Напряжение питания 1.2 V —
Интерфейс DDR4 (JEDEC) —
Корпус TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) FBGA-96 (PBGA-96)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS DRAM CMOS
Lifecycle Code Active —
Статус RoHS Compliant (Rohs Code: Yes) Compliant
REACH Compliance Compliant —
Manufacturer SK Hynix Inc. —
Рабочая температура [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +95C
Задержка CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] —
Размер памяти — 4 Gbit
Clock Frequency — 1.6 GHz
Supply Voltage (VDD) — 1.14 V to 1.26 V
Self Refresh — Auto self-refresh
Data Mask Function — Yes (DM)
Asynchronous Reset — Yes (RESET_n)
On-Die Termination — Dynamic ODT
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes (command/address CRC)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену