H5AN4G8NBJR-UHC vs H5AN4G6NBJR-UHC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5AN4G8NBJR-UHC por SK hynix e H5AN4G6NBJR-UHC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G6NBJR-UHC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $3,18 $8,09
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit —
Organização da memória 512M x 8 256M x 16
Taxa de dados 2400 Mbps (PC2400) —
Tensão de alimentação 1.2 V —
Interface DDR4 (JEDEC) —
Encapsulamento TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) FBGA-96 (PBGA-96)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS DRAM CMOS
Lifecycle Code Active —
Status RoHS Compliant (Rohs Code: Yes) Compliant
REACH Compliance Compliant —
Manufacturer SK Hynix Inc. —
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +95C
Latência CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] —
Tamanho da memória — 4 Gbit
Clock Frequency — 1.6 GHz
Supply Voltage (VDD) — 1.14 V to 1.26 V
Self Refresh — Auto self-refresh
Data Mask Function — Yes (DM)
Asynchronous Reset — Yes (RESET_n)
On-Die Termination — Dynamic ODT
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes (command/address CRC)

Fichas técnicas e recursos

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