H5AN4G8NBJR-UHC vs H5AN4G8NBJR-PBC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN4G8NBJR-UHC von SK hynix und H5AN4G8NBJR-PBC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-PBC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $3,18 $2,20
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit —
Speicherorganisation 512M x 8 512M x 8
Datenrate 2400 Mbps (PC2400) —
Versorgungsspannung 1.2 V —
Schnittstelle DDR4 (JEDEC) —
Gehäuse TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) 78-ball FBGA
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS DRAM —
Lifecycle Code Active —
RoHS-Status Compliant (Rohs Code: Yes) —
REACH Compliance Compliant —
Manufacturer SK Hynix Inc. —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC
Memory Density — 4 Gbit
Schnittstellentyp — Parallel, JEDEC DDR4
Supply Voltage VDD — 1.2 V
Supply Voltage VDDQ — 1.2 V
Speed Grade — PBC
Clock Frequency — [DATA_NEEDED: Clock Frequency]
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Normal Operating Case Temperature — 0C to 85C
Extended Temperature Range — up to 95C case (with increased refresh)
Lead Free — Yes
Halogenfrei — Yes

Datenblätter & Ressourcen

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