H5AN4G8NBJR-UHC vs H5AN4G8NBJR-PBC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5AN4G8NBJR-UHC por SK hynix e H5AN4G8NBJR-PBC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-PBC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $3,18 $2,20
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit —
Organização da memória 512M x 8 512M x 8
Taxa de dados 2400 Mbps (PC2400) —
Tensão de alimentação 1.2 V —
Interface DDR4 (JEDEC) —
Encapsulamento TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) 78-ball FBGA
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS DRAM —
Lifecycle Code Active —
Status RoHS Compliant (Rohs Code: Yes) —
REACH Compliance Compliant —
Manufacturer SK Hynix Inc. —
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Latência CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC
Memory Density — 4 Gbit
Tipo de interface — Parallel, JEDEC DDR4
Supply Voltage VDD — 1.2 V
Supply Voltage VDDQ — 1.2 V
Speed Grade — PBC
Clock Frequency — [DATA_NEEDED: Clock Frequency]
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Normal Operating Case Temperature — 0C to 85C
Extended Temperature Range — up to 95C case (with increased refresh)
Lead Free — Yes
Livre de halogênio — Yes

Fichas técnicas e recursos

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