H5AN4G8NBJR-UHC vs H5AN4G8NBJR-PBC Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5AN4G8NBJR-UHC por SK hynix y H5AN4G8NBJR-PBC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-PBC
Marca SK hynix SK hynix
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $3,18 $2,20
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit —
Organización de memoria 512M x 8 512M x 8
Velocidad de datos 2400 Mbps (PC2400) —
Tensión de alimentación 1.2 V —
Interfaz DDR4 (JEDEC) —
Encapsulado TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) 78-ball FBGA
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS DRAM —
Lifecycle Code Active —
Estado RoHS Compliant (Rohs Code: Yes) —
REACH Compliance Compliant —
Manufacturer SK Hynix Inc. —
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Latencia CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC
Memory Density — 4 Gbit
Tipo de interfaz — Parallel, JEDEC DDR4
Supply Voltage VDD — 1.2 V
Supply Voltage VDDQ — 1.2 V
Speed Grade — PBC
Clock Frequency — [DATA_NEEDED: Clock Frequency]
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Normal Operating Case Temperature — 0C to 85C
Extended Temperature Range — up to 95C case (with increased refresh)
Lead Free — Yes
Sin halógenos — Yes

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