H5AN4G8NBJR-UHC vs H5AN4G8NBJR-PBC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5AN4G8NBJR-UHC par SK hynix et H5AN4G8NBJR-PBC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-PBC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,18 $2,20
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit —
Organisation de la mémoire 512M x 8 512M x 8
Débit de données 2400 Mbps (PC2400) —
Tension d'alimentation 1.2 V —
Interface DDR4 (JEDEC) —
Boîtier TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) 78-ball FBGA
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS DRAM —
Lifecycle Code Active —
Statut RoHS Compliant (Rohs Code: Yes) —
REACH Compliance Compliant —
Manufacturer SK Hynix Inc. —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Latence CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC
Memory Density — 4 Gbit
Type d'interface — Parallel, JEDEC DDR4
Supply Voltage VDD — 1.2 V
Supply Voltage VDDQ — 1.2 V
Speed Grade — PBC
Clock Frequency — [DATA_NEEDED: Clock Frequency]
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Normal Operating Case Temperature — 0C to 85C
Extended Temperature Range — up to 95C case (with increased refresh)
Lead Free — Yes
Sans halogène — Yes

Fiches techniques et ressources

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