H5AN4G8NBJR-VKC vs H5AN4G8NBJR-PBC Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von H5AN4G8NBJR-VKC von SK hynix und H5AN4G8NBJR-PBC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | H5AN4G8NBJR-VKC | H5AN4G8NBJR-PBC |
|---|---|---|
| Marke | SK hynix | SK hynix |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $2,40 | $2,20 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Speichergröße | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x8 | — |
| Datenrate | 2666 Mbps (DDR4-2666) | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Gehäuse | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) | 78-ball FBGA |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS DRAM | — |
| Volatile / Non-Volatile | Volatile | — |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| CAS-Latenz | [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] | 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC |
| RoHS-Status | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) | — |
| Packaging | Tray | — |
| Lebenszyklusstatus | Active | — |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| Speicherorganisation | — | 512M x 8 |
| Schnittstellentyp | — | Parallel, JEDEC DDR4 |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| Supply Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| Speed Grade | — | PBC |
| Clock Frequency | — | [DATA_NEEDED: Clock Frequency] |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Normal Operating Case Temperature | — | 0C to 85C |
| Extended Temperature Range | — | up to 95C case (with increased refresh) |
| Lead Free | — | Yes |
| Halogenfrei | — | Yes |