H5AN4G8NBJR-VKC vs H5AN4G8NBJR-PBC 比較

詳細な並列比較: H5AN4G8NBJR-VKC メーカー: SK hynix および H5AN4G8NBJR-PBC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKC H5AN4G8NBJR-VKC - 4Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKC - 4Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKC ✓ 生産中
SK hynix
H5AN4G8NBJR-PBC H5AN4G8NBJR-PBC - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 FBGA-78 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-PBC - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 FBGA-78 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-PBC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN4G8NBJR-VKC H5AN4G8NBJR-PBC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.40 $2.20
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
メモリサイズ 4 Gb —
Memory Organization 512M x8 —
データレート 2666 Mbps (DDR4-2666) —
Memory Interface Parallel —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
パッケージ FBGA-78 (7.5 x 11 mm) 78-ball FBGA
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS DRAM —
Volatile / Non-Volatile Volatile —
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
CASレイテンシ [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate] 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC
RoHS ステータス Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) —
Packaging Tray —
ライフサイクル状態 Active —
Memory Density — 4 Gbit
メモリ構成 — 512M x 8
インターフェースタイプ — Parallel, JEDEC DDR4
Supply Voltage VDD — 1.2 V
Supply Voltage VDDQ — 1.2 V
Speed Grade — PBC
Clock Frequency — [DATA_NEEDED: Clock Frequency]
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Normal Operating Case Temperature — 0C to 85C
Extended Temperature Range — up to 95C case (with increased refresh)
Lead Free — Yes
ハロゲンフリー — Yes

データシート&リソース

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