H5AN4G8NBJR-VKC vs H5AN4G8NBJR-PBC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN4G8NBJR-VKC par SK hynix et H5AN4G8NBJR-PBC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN4G8NBJR-VKC | H5AN4G8NBJR-PBC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,40 | $2,20 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x8 | — |
| Débit de données | 2666 Mbps (DDR4-2666) | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Boîtier | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) | 78-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS DRAM | — |
| Volatile / Non-Volatile | Volatile | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] | 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC |
| Statut RoHS | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) | — |
| Packaging | Tray | — |
| Statut du cycle de vie | Active | — |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | — | 512M x 8 |
| Type d'interface | — | Parallel, JEDEC DDR4 |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| Supply Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| Speed Grade | — | PBC |
| Clock Frequency | — | [DATA_NEEDED: Clock Frequency] |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Normal Operating Case Temperature | — | 0C to 85C |
| Extended Temperature Range | — | up to 95C case (with increased refresh) |
| Lead Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes |