H5AN4G8NBJR-VKC vs H5AN4G8NBJR-PBC 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5AN4G8NBJR-VKC 제조: SK hynix 및 H5AN4G8NBJR-PBC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5AN4G8NBJR-VKC | H5AN4G8NBJR-PBC |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.40 | $2.20 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| 메모리 크기 | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x8 | — |
| 데이터 속도 | 2666 Mbps (DDR4-2666) | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| 패키지 | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) | 78-ball FBGA |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS DRAM | — |
| Volatile / Non-Volatile | Volatile | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] | 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC |
| RoHS 상태 | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) | — |
| Packaging | Tray | — |
| 수명 주기 상태 | Active | — |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| 메모리 구성 | — | 512M x 8 |
| 인터페이스 유형 | — | Parallel, JEDEC DDR4 |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| Supply Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| Speed Grade | — | PBC |
| Clock Frequency | — | [DATA_NEEDED: Clock Frequency] |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Normal Operating Case Temperature | — | 0C to 85C |
| Extended Temperature Range | — | up to 95C case (with increased refresh) |
| Lead Free | — | Yes |
| 할로겐 프리 | — | Yes |