H5AN4G8NBJR-VKI vs H5AN4G8NBJR-PBC Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von H5AN4G8NBJR-VKI von SK hynix und H5AN4G8NBJR-PBC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | H5AN4G8NBJR-VKI | H5AN4G8NBJR-PBC |
|---|---|---|
| Marke | SK hynix | SK hynix |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $1,98 | $2,20 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Speicherorganisation | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Datenrate | 2666 Mbps | — |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | — |
| I/O Voltage | 1.2 V (SSTL12) | — |
| Gehäuse | FBGA-78 | 78-ball FBGA |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade | V (2666) | PBC |
| Temperature Grade | Industrial (I suffix) | — |
| Architecture | CMOS, 8n prefetch, bank groups | — |
| Termination | On-Die Termination (ODT) | — |
| DBI Support | Yes (Data Bus Inversion / DM) | — |
| CAS-Latenz | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh specification] | 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | — |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| Schnittstellentyp | — | Parallel, JEDEC DDR4 |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| Supply Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| Clock Frequency | — | [DATA_NEEDED: Clock Frequency] |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Normal Operating Case Temperature | — | 0C to 85C |
| Extended Temperature Range | — | up to 95C case (with increased refresh) |
| Lead Free | — | Yes |
| Halogenfrei | — | Yes |