H5AN4G8NBJR-VKI vs H5AN4G8NBJR-PBC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5AN4G8NBJR-VKI par SK hynix et H5AN4G8NBJR-PBC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKI H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5AN4G8NBJR-VKI H5AN4G8NBJR-PBC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,98 $2,20
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gb —
Organisation de la mémoire 512M x 8 512M x 8
Débit de données 2666 Mbps —
Tension d'alimentation 1.2 V —
I/O Voltage 1.2 V (SSTL12) —
Boîtier FBGA-78 78-ball FBGA
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Speed Grade V (2666) PBC
Temperature Grade Industrial (I suffix) —
Architecture CMOS, 8n prefetch, bank groups —
Termination On-Die Termination (ODT) —
DBI Support Yes (Data Bus Inversion / DM) —
Latence CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: Operating Temperature] —
Refresh [DATA_NEEDED: Refresh specification] 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] —
Memory Density — 4 Gbit
Type d'interface — Parallel, JEDEC DDR4
Supply Voltage VDD — 1.2 V
Supply Voltage VDDQ — 1.2 V
Clock Frequency — [DATA_NEEDED: Clock Frequency]
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Normal Operating Case Temperature — 0C to 85C
Extended Temperature Range — up to 95C case (with increased refresh)
Lead Free — Yes
Sans halogène — Yes

Fiches techniques et ressources

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