H5AN4G8NBJR-VKI vs H5AN4G8NBJR-PBC Сравнение
Подробное сравнение бок о бок H5AN4G8NBJR-VKI от SK hynix и H5AN4G8NBJR-PBC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | H5AN4G8NBJR-VKI | H5AN4G8NBJR-PBC |
|---|---|---|
| Бренд | SK hynix | SK hynix |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,98 | $2,20 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Организация памяти | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Скорость передачи данных | 2666 Mbps | — |
| Напряжение питания | 1.2 V | — |
| I/O Voltage | 1.2 V (SSTL12) | — |
| Корпус | FBGA-78 | 78-ball FBGA |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade | V (2666) | PBC |
| Temperature Grade | Industrial (I suffix) | — |
| Architecture | CMOS, 8n prefetch, bank groups | — |
| Termination | On-Die Termination (ODT) | — |
| DBI Support | Yes (Data Bus Inversion / DM) | — |
| Задержка CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh specification] | 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | — |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| Тип интерфейса | — | Parallel, JEDEC DDR4 |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| Supply Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| Clock Frequency | — | [DATA_NEEDED: Clock Frequency] |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Normal Operating Case Temperature | — | 0C to 85C |
| Extended Temperature Range | — | up to 95C case (with increased refresh) |
| Lead Free | — | Yes |
| Без галогенов | — | Yes |