H5AN4G8NBJR-VKI vs H5AN4G8NBJR-PBC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5AN4G8NBJR-VKI por SK hynix e H5AN4G8NBJR-PBC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKI H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5AN4G8NBJR-VKI H5AN4G8NBJR-PBC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,98 $2,20
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gb —
Organização da memória 512M x 8 512M x 8
Taxa de dados 2666 Mbps —
Tensão de alimentação 1.2 V —
I/O Voltage 1.2 V (SSTL12) —
Encapsulamento FBGA-78 78-ball FBGA
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Speed Grade V (2666) PBC
Temperature Grade Industrial (I suffix) —
Architecture CMOS, 8n prefetch, bank groups —
Termination On-Die Termination (ODT) —
DBI Support Yes (Data Bus Inversion / DM) —
Latência CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: Operating Temperature] —
Refresh [DATA_NEEDED: Refresh specification] 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] —
Memory Density — 4 Gbit
Tipo de interface — Parallel, JEDEC DDR4
Supply Voltage VDD — 1.2 V
Supply Voltage VDDQ — 1.2 V
Clock Frequency — [DATA_NEEDED: Clock Frequency]
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Normal Operating Case Temperature — 0C to 85C
Extended Temperature Range — up to 95C case (with increased refresh)
Lead Free — Yes
Livre de halogênio — Yes

Fichas técnicas e recursos

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