H5AN8G6NAFR-PBC vs H5AN8G8NAFR-PBC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN8G6NAFR-PBC von SK hynix und H5AN8G8NAFR-PBC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5AN8G8NAFR-PBC H5AN8G8NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-PBC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN8G6NAFR-PBC H5AN8G8NAFR-PBC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs DRAM
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $3,55 $2,20
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gb
Speicherorganisation 512M x 16 1G x 8
VDD Supply Voltage 1.20 V +/- 0.06 V —
VDDQ Supply Voltage 1.20 V +/- 0.06 V —
VPP Supply Voltage 2.5 V +0.25/-0.125 V —
Schnittstellentyp DDR4 (parallel, double data rate) —
Speed Bins Supported DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (datasheet speed bin tables) —
Refresh Auto / Self Refresh —
DLL DLL ON mode for speed bin operation —
Clock Differential clock (CK/CK#) —
Gehäuse TFBGA-96 (rectangular) FBGA-78
Number of Terminals 96 —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
RoHS-Status Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) Compliant
Composition CMOS —
Versorgungsspannung — 1.2 V
Speed Grade / Data Rate — [DATA_NEEDED: speed grade / data rate]
Schnittstelle — DDR4 (double data rate, synchronized to clock)
Address Inputs — A0 - A17 (A10/AP, A12/BC_n, RAS_n/A16, CAS_n/A15, WE_n/A14 multiplexed)
Connectivity Test Mode — TEN (optional input on x4/x8, required on x16)
Process Technology — CMOS
Lead-Free — Yes
Halogenfrei — Yes
Datasheet Revision — Rev. 1.2 / July 2017

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