H5AN8G6NAFR-PBC vs H5AN8G8NAFR-PBC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5AN8G6NAFR-PBC por SK hynix e H5AN8G8NAFR-PBC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5AN8G8NAFR-PBC H5AN8G8NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-PBC ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5AN8G6NAFR-PBC H5AN8G8NAFR-PBC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs DRAM
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $3,55 $2,20
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gb
Organização da memória 512M x 16 1G x 8
VDD Supply Voltage 1.20 V +/- 0.06 V —
VDDQ Supply Voltage 1.20 V +/- 0.06 V —
VPP Supply Voltage 2.5 V +0.25/-0.125 V —
Tipo de interface DDR4 (parallel, double data rate) —
Speed Bins Supported DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (datasheet speed bin tables) —
Refresh Auto / Self Refresh —
DLL DLL ON mode for speed bin operation —
Clock Differential clock (CK/CK#) —
Encapsulamento TFBGA-96 (rectangular) FBGA-78
Number of Terminals 96 —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Status RoHS Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) Compliant
Composition CMOS —
Tensão de alimentação — 1.2 V
Speed Grade / Data Rate — [DATA_NEEDED: speed grade / data rate]
Interface — DDR4 (double data rate, synchronized to clock)
Address Inputs — A0 - A17 (A10/AP, A12/BC_n, RAS_n/A16, CAS_n/A15, WE_n/A14 multiplexed)
Connectivity Test Mode — TEN (optional input on x4/x8, required on x16)
Process Technology — CMOS
Lead-Free — Yes
Livre de halogênio — Yes
Datasheet Revision — Rev. 1.2 / July 2017

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação