H5AN8G6NAFR-PBC vs H5AN8G8NAFR-PBC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G6NAFR-PBC par SK hynix et H5AN8G8NAFR-PBC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5AN8G8NAFR-PBC H5AN8G8NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-PBC ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5AN8G6NAFR-PBC H5AN8G8NAFR-PBC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs DRAM
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,55 $2,20
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gb
Organisation de la mémoire 512M x 16 1G x 8
VDD Supply Voltage 1.20 V +/- 0.06 V —
VDDQ Supply Voltage 1.20 V +/- 0.06 V —
VPP Supply Voltage 2.5 V +0.25/-0.125 V —
Type d'interface DDR4 (parallel, double data rate) —
Speed Bins Supported DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (datasheet speed bin tables) —
Refresh Auto / Self Refresh —
DLL DLL ON mode for speed bin operation —
Clock Differential clock (CK/CK#) —
Boîtier TFBGA-96 (rectangular) FBGA-78
Number of Terminals 96 —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Statut RoHS Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) Compliant
Composition CMOS —
Tension d'alimentation — 1.2 V
Speed Grade / Data Rate — [DATA_NEEDED: speed grade / data rate]
Interface — DDR4 (double data rate, synchronized to clock)
Address Inputs — A0 - A17 (A10/AP, A12/BC_n, RAS_n/A16, CAS_n/A15, WE_n/A14 multiplexed)
Connectivity Test Mode — TEN (optional input on x4/x8, required on x16)
Process Technology — CMOS
Lead-Free — Yes
Sans halogène — Yes
Datasheet Revision — Rev. 1.2 / July 2017

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis