H5AN8G6NAFR-PBC vs MT40A512M16JY-075E Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von H5AN8G6NAFR-PBC von SK hynix und MT40A512M16JY-075E von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | H5AN8G6NAFR-PBC | MT40A512M16JY-075E |
|---|---|---|
| Marke | SK hynix | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $3,55 | $30,50 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | — |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | 512M x 16 |
| VDD Supply Voltage | 1.20 V +/- 0.06 V | — |
| VDDQ Supply Voltage | 1.20 V +/- 0.06 V | — |
| VPP Supply Voltage | 2.5 V +0.25/-0.125 V | — |
| Schnittstellentyp | DDR4 (parallel, double data rate) | — |
| Speed Bins Supported | DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (datasheet speed bin tables) | — |
| Refresh | Auto / Self Refresh | — |
| DLL | DLL ON mode for speed bin operation | — |
| Clock | Differential clock (CK/CK#) | — |
| Gehäuse | TFBGA-96 (rectangular) | 96-FBGA (8x14) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| RoHS-Status | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) | Compliant |
| Composition | CMOS | — |
| Speichergröße | — | 8 Gbit |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| Datenrate | — | 2666 MT/s |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.14V to 1.26V |
| VPP Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| Schnittstelle | — | Parallel |
| Betriebstemperaturbereich | — | 0°C to +95°C (TC) |
| Refresh Time | — | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C |
| Eigenschaften | — | Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |