H5AN8G6NAFR-PBC vs MT40A512M16JY-075E Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5AN8G6NAFR-PBC por SK hynix e MT40A512M16JY-075E por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Micron Technology
MT40A512M16JY-075E MT40A512M16JY-075E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-075E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-075E ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5AN8G6NAFR-PBC MT40A512M16JY-075E
Marca SK hynix Micron Technology
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $3,55 $30,50
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit —
Organização da memória 512M x 16 512M x 16
VDD Supply Voltage 1.20 V +/- 0.06 V —
VDDQ Supply Voltage 1.20 V +/- 0.06 V —
VPP Supply Voltage 2.5 V +0.25/-0.125 V —
Tipo de interface DDR4 (parallel, double data rate) —
Speed Bins Supported DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (datasheet speed bin tables) —
Refresh Auto / Self Refresh —
DLL DLL ON mode for speed bin operation —
Clock Differential clock (CK/CK#) —
Encapsulamento TFBGA-96 (rectangular) 96-FBGA (8x14)
Number of Terminals 96 —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Status RoHS Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) Compliant
Composition CMOS —
Tamanho da memória — 8 Gbit
Clock Frequency — 1.33 GHz
Taxa de dados — 2666 MT/s
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.14V to 1.26V
VPP Voltage — 2.5V (-125mV, +250mV)
Interface — Parallel
Faixa de temperatura de operação — 0°C to +95°C (TC)
Refresh Time — 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C
Recursos — Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC
I/O Type — 1.2V pseudo open-drain

Fichas técnicas e recursos

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