H5AN8G6NAFR-PBC vs MT40A512M16JY-075E 比較

詳細な並列比較: H5AN8G6NAFR-PBC メーカー: SK hynix および MT40A512M16JY-075E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5AN8G6NAFR-PBC H5AN8G6NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM 1.2V TFBGA-96 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM 1.2V TFBGA-96 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-PBC ✓ 生産中
Micron Technology
MT40A512M16JY-075E MT40A512M16JY-075E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-075E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-075E ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN8G6NAFR-PBC MT40A512M16JY-075E
ブランド SK hynix Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $3.55 $30.50
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit —
メモリ構成 512M x 16 512M x 16
VDD Supply Voltage 1.20 V +/- 0.06 V —
VDDQ Supply Voltage 1.20 V +/- 0.06 V —
VPP Supply Voltage 2.5 V +0.25/-0.125 V —
インターフェースタイプ DDR4 (parallel, double data rate) —
Speed Bins Supported DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (datasheet speed bin tables) —
Refresh Auto / Self Refresh —
DLL DLL ON mode for speed bin operation —
Clock Differential clock (CK/CK#) —
パッケージ TFBGA-96 (rectangular) 96-FBGA (8x14)
Number of Terminals 96 —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
RoHS ステータス Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) Compliant
Composition CMOS —
メモリサイズ — 8 Gbit
Clock Frequency — 1.33 GHz
データレート — 2666 MT/s
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.14V to 1.26V
VPP Voltage — 2.5V (-125mV, +250mV)
インターフェース — Parallel
動作温度範囲 — 0°C to +95°C (TC)
Refresh Time — 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C
特長 — Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC
I/O Type — 1.2V pseudo open-drain

データシート&リソース

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