H5AN8G6NAFR-RDC vs H5AN8G6NAFR-PBC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN8G6NAFR-RDC von SK hynix und H5AN8G6NAFR-PBC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5AN8G6NAFR-RDC H5AN8G6NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-RDC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN8G6NAFR-RDC H5AN8G6NAFR-PBC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $3,05 $3,55
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 8 Gb —
Speicherorganisation 512M x 16 512M x 16
Versorgungsspannung 1.2 V —
Schnittstelle DDR4 (JEDEC-standard) —
Access Mode Multi Bank Page Burst —
Package Code TFBGA —
Package Shape Rectangular —
Number of Terminals 96 96
Montageart Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade OTHER (per Partstack listing) —
Technology CMOS —
RoHS-Status Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) Compliant (Lead-Free & Halogen-Free)
Speed Grade -RDC (see datasheet for bin timing) —
Family H5AN8G4NAFR-xxC / H5AN8G8NAFR-xxC / H5AN8G6NAFR-xxC —
Max Clock Rate [DATA_NEEDED: max clock rate for -RDC bin] —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Density — 8 Gbit
VDD Supply Voltage — 1.20 V +/- 0.06 V
VDDQ Supply Voltage — 1.20 V +/- 0.06 V
VPP Supply Voltage — 2.5 V +0.25/-0.125 V
Schnittstellentyp — DDR4 (parallel, double data rate)
Speed Bins Supported — DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (datasheet speed bin tables)
Refresh — Auto / Self Refresh
DLL — DLL ON mode for speed bin operation
Clock — Differential clock (CK/CK#)
Gehäuse — TFBGA-96 (rectangular)
Composition — CMOS

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