H5AN8G6NAFR-RDC vs H5AN8G6NAFR-PBC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5AN8G6NAFR-RDC por SK hynix e H5AN8G6NAFR-PBC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5AN8G6NAFR-RDC H5AN8G6NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-RDC ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5AN8G6NAFR-RDC H5AN8G6NAFR-PBC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $3,05 $3,55
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 8 Gb —
Organização da memória 512M x 16 512M x 16
Tensão de alimentação 1.2 V —
Interface DDR4 (JEDEC-standard) —
Access Mode Multi Bank Page Burst —
Package Code TFBGA —
Package Shape Rectangular —
Number of Terminals 96 96
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade OTHER (per Partstack listing) —
Technology CMOS —
Status RoHS Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) Compliant (Lead-Free & Halogen-Free)
Speed Grade -RDC (see datasheet for bin timing) —
Family H5AN8G4NAFR-xxC / H5AN8G8NAFR-xxC / H5AN8G6NAFR-xxC —
Max Clock Rate [DATA_NEEDED: max clock rate for -RDC bin] —
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Density — 8 Gbit
VDD Supply Voltage — 1.20 V +/- 0.06 V
VDDQ Supply Voltage — 1.20 V +/- 0.06 V
VPP Supply Voltage — 2.5 V +0.25/-0.125 V
Tipo de interface — DDR4 (parallel, double data rate)
Speed Bins Supported — DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (datasheet speed bin tables)
Refresh — Auto / Self Refresh
DLL — DLL ON mode for speed bin operation
Clock — Differential clock (CK/CK#)
Encapsulamento — TFBGA-96 (rectangular)
Composition — CMOS

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação