H5AN8G6NAFR-RDC vs H5AN8G6NAFR-PBC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G6NAFR-RDC par SK hynix et H5AN8G6NAFR-PBC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5AN8G6NAFR-RDC H5AN8G6NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-RDC ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5AN8G6NAFR-RDC H5AN8G6NAFR-PBC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,05 $3,55
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 8 Gb —
Organisation de la mémoire 512M x 16 512M x 16
Tension d'alimentation 1.2 V —
Interface DDR4 (JEDEC-standard) —
Access Mode Multi Bank Page Burst —
Package Code TFBGA —
Package Shape Rectangular —
Number of Terminals 96 96
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade OTHER (per Partstack listing) —
Technology CMOS —
Statut RoHS Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) Compliant (Lead-Free & Halogen-Free)
Speed Grade -RDC (see datasheet for bin timing) —
Family H5AN8G4NAFR-xxC / H5AN8G8NAFR-xxC / H5AN8G6NAFR-xxC —
Max Clock Rate [DATA_NEEDED: max clock rate for -RDC bin] —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Density — 8 Gbit
VDD Supply Voltage — 1.20 V +/- 0.06 V
VDDQ Supply Voltage — 1.20 V +/- 0.06 V
VPP Supply Voltage — 2.5 V +0.25/-0.125 V
Type d'interface — DDR4 (parallel, double data rate)
Speed Bins Supported — DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (datasheet speed bin tables)
Refresh — Auto / Self Refresh
DLL — DLL ON mode for speed bin operation
Clock — Differential clock (CK/CK#)
Boîtier — TFBGA-96 (rectangular)
Composition — CMOS

Fiches techniques et ressources

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