H5AN8G6NAFR-UHC vs H5AN8G6NCJR-UHC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN8G6NAFR-UHC von SK hynix und H5AN8G6NCJR-UHC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NCJR-UHC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $5,74 $0,00
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
Speicherorganisation 512M x 16 512M x 16
Versorgungsspannung 1.2 V 1.2 V
Datenrate 2400 MT/s —
Gehäuse FBGA-96 FBGA-96 (96-ball)
Betriebstemperatur 0°C to +85°C 0C to +95C
Number of Terminals 96 —
Package Code TFBGA —
Lead-Free Yes —
Halogenfrei Yes —
RoHS Compliant Yes —
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Burst Length 8, 4 (with burst chop) —
Refresh Auto self-refresh —
Speed Grade — DDR4-2400 (2400 Mbps/pin)
Montageart — Surface Mount (BGA)
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask (DM) — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Dynamic On-Die Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (per family datasheet)
RoHS-Status — [DATA_NEEDED: RoHS certification statement]

Datenblätter & Ressourcen

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