H5AN8G6NAFR-UHC vs H5AN8G6NCJR-UHC 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5AN8G6NAFR-UHC 제조: SK hynix 및 H5AN8G6NCJR-UHC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

SK hynix
H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC ✓ 활성
SK hynix
H5AN8G6NCJR-UHC H5AN8G6NCJR-UHC - 8Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-UHC - 8Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-UHC ✓ 활성

사양 비교

파라미터 H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NCJR-UHC
브랜드 SK hynix SK hynix
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $5.74 $0.00
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
메모리 구성 512M x 16 512M x 16
공급 전압 1.2 V 1.2 V
데이터 속도 2400 MT/s —
패키지 FBGA-96 FBGA-96 (96-ball)
동작 온도 0°C to +85°C 0C to +95C
Number of Terminals 96 —
Package Code TFBGA —
Lead-Free Yes —
할로겐 프리 Yes —
RoHS Compliant Yes —
CAS 레이턴시 [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Burst Length 8, 4 (with burst chop) —
Refresh Auto self-refresh —
Speed Grade — DDR4-2400 (2400 Mbps/pin)
실장 유형 — Surface Mount (BGA)
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask (DM) — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Dynamic On-Die Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (per family datasheet)
RoHS 상태 — [DATA_NEEDED: RoHS certification statement]

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