H5AN8G6NAFR-UHC vs H5AN8G6NCJR-UHC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5AN8G6NAFR-UHC por SK hynix e H5AN8G6NCJR-UHC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NCJR-UHC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $5,74 $0,00
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
Organização da memória 512M x 16 512M x 16
Tensão de alimentação 1.2 V 1.2 V
Taxa de dados 2400 MT/s —
Encapsulamento FBGA-96 FBGA-96 (96-ball)
Temperatura de operação 0°C to +85°C 0C to +95C
Number of Terminals 96 —
Package Code TFBGA —
Lead-Free Yes —
Livre de halogênio Yes —
RoHS Compliant Yes —
Latência CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Burst Length 8, 4 (with burst chop) —
Refresh Auto self-refresh —
Speed Grade — DDR4-2400 (2400 Mbps/pin)
Tipo de montagem — Surface Mount (BGA)
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask (DM) — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Dynamic On-Die Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (per family datasheet)
Status RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS certification statement]

Fichas técnicas e recursos

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