H5AN8G6NAFR-UHC vs H5AN8G6NCJR-UHC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G6NAFR-UHC par SK hynix et H5AN8G6NCJR-UHC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NCJR-UHC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $5,74 $0,00
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
Organisation de la mémoire 512M x 16 512M x 16
Tension d'alimentation 1.2 V 1.2 V
Débit de données 2400 MT/s —
Boîtier FBGA-96 FBGA-96 (96-ball)
Température de fonctionnement 0°C to +85°C 0C to +95C
Number of Terminals 96 —
Package Code TFBGA —
Lead-Free Yes —
Sans halogène Yes —
RoHS Compliant Yes —
Latence CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Burst Length 8, 4 (with burst chop) —
Refresh Auto self-refresh —
Speed Grade — DDR4-2400 (2400 Mbps/pin)
Type de montage — Surface Mount (BGA)
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask (DM) — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Dynamic On-Die Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (per family datasheet)
Statut RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS certification statement]

Fiches techniques et ressources

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